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- TRANSISTOR, PNP, TO-92
- Transistor Polarity:PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V
- Typ Gain Bandwidth ft:200MHz
- Power Dissipation Pd:625mW
- DC Collector Current:0.2A
- DC Current Gain hFE:60
- Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
- Transistor Case Style:TO-92
- No. of Pins:3
- Collector Emitter Voltage Vces:0.6V
- Continuous Collector Current Ic Max:0.2A
- Current Ic hFE:2mA
- Max Current Ic Continuous a:0.2A
- Max Power Dissipation Ptot:625mW
- Min Gain Bandwidth ft:200MHz
- Min Hfe:60
- No. of Transistors:1
- Package / Case:TO-92
- Pin Configuration:a
- Power Dissipation:625mW
- SVHC (Secondary):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:Bipolar
- Voltage Vcbo:60V
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단위 | 수량별 판매단가
（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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| 제품스펙 |
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| Transistor Polarity | PNP
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | 50V
| | Typ Gain Bandwidth ft | 200MHz
| Power Dissipation Pd | 625mW
| | DC Collector Current | 0.2A
| DC Current Gain hFE | 60
| | Operating Temperature Range | -55°C to +150°C
| Transistor Case Style | TO-92
| | No. of Pins | 3
| Collector Emitter Voltage Vces | 0.6V
| | Continuous Collector Current Ic Max | 0.2A
| Current Ic hFE | 2mA
| | Max Current Ic Continuous a | 0.2A
| Max Power Dissipation Ptot | 625mW
| | Min Gain Bandwidth ft | 200MHz
| Min Hfe | 60
| | No. of Transistors | 1
| Package / Case | TO-92
| | Pin Configuration | a
| Power Dissipation | 625mW
| | SVHC (Secondary) | Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
| Termination Type | Through Hole
| | Transistor Type | Bipolar
| Voltage Vcbo | 60V | |
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