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- IGBT MODULE, DUAL, 1200V
- Transistor Polarity:N
- Collector Emitter Voltage Vces:3V
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1200V
- Transistor Case Style:SEMITOP 2
- External Depth:28mm
- External Width:40.5mm
- No. of Transistors:2
- Package / Case:SEMITOP 2
- Termination Type:Screw
- Transistor Type:IGBT
- Av Current Ic:40A
- Current Ic Continuous a Max:40A
- Current Ic Continuous b Max:27A
- Current Temperature:25°C
- Fixing Centres:38mm
- Fixing Hole Diameter:2mm
- Power Dissipation Pd:850W
- Pulsed Current Icm:80A
- Rise Time:45ns
- SMD Marking:SEMITOP2
- Voltage:1200V
- Voltage Vces:1200V
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- 주문 스펙 및 커팅 상품의 경우 교환/반품이 되지 않습니다.
- 수동소자, 소캣, LED제품 절대 교환, 취소, AS 불가
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| 부품번호 | 제조사 | 부품설명 | 주문가능수량 | 예상납기 영업일 기준이며 레오콤출하일이 아닌
고객이 수령하시는 날 기준입니다 |
| 재고업데이트
단위 | 수량별 판매단가
（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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| 제품스펙 |
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| Transistor Polarity | N
| Collector Emitter Voltage Vces | 3V
| | Collector Emitter Voltage V(br)ceo | 1200V
| Transistor Case Style | SEMITOP 2
| | External Depth | 28mm
| External Width | 40.5mm
| | No. of Transistors | 2
| Package / Case | SEMITOP 2
| | Termination Type | Screw
| Transistor Type | IGBT
| | Av Current Ic | 40A
| Current Ic Continuous a Max | 40A
| | Current Ic Continuous b Max | 27A
| Current Temperature | 25°C
| | Fixing Centres | 38mm
| Fixing Hole Diameter | 2mm
| | Power Dissipation Pd | 850W
| Pulsed Current Icm | 80A
| | Rise Time | 45ns
| SMD Marking | SEMITOP2
| | Voltage | 1200V
| Voltage Vces | 1200V | |
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