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SI3437DV-T1-GE3
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    제품정보
    대표부품번호:

    SI3437DV-T1-GE3

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, P-CH, -150V, -1.4A, TSOP

    기술자료
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    210522121SI3437DV-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
    72000

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     업데이트: 2023-12-27

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    1825833860SI3437DV-T1-GE3VISHAYMOSFET, P-CH, -150V, -1.4A, TSOP
    39000

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     업데이트: 2024-05-31

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    21000~480 (528)



    213345840SI3437DV-T1-GE3VISHAY SILICONIX
    12000

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     업데이트: 2023-12-27

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    30000~407 (448)



    210522119SI3437DV-T1-GE3VISHAY SILICONIXMOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP
    2589

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     업데이트: 2023-12-27

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    100~739 (813)
    500~618 (680)
    1000~526 (579)



    152453379SI3437DV-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET, P-CH, -150V, -1.4A, TSOP
    141590

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    210807540SI3437DV-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
    72000

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     업데이트: 2023-12-27



    210807541SI3437DV-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
    24000

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     업데이트: 2023-12-27



    1834995569SI3437DV-T1-GE3VISHAYP-CH 150V 1,4A 610mOhm TSOP-6
    3000

    해외 재고
     업데이트: 2024-04-12



    212479461SI3437DVT1GE3Vishay IntertechnologiesSmall Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D),
    3000

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     업데이트: 2023-12-27



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    1834541994SI3437DV-T1-GE3SILICONIX (VISHAY)Single P-Channel 150 V 750 mΩ 12.2 nC 2 W SMT Power Mosfet - SC-74
    0

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     업데이트: 2023-12-27






    제품스펙
    Channel TypePMaximum Continuous Drain Current1.1 A
    Maximum Drain Source Voltage150 VPackage TypeTSOP
    Mounting TypeSurface MountPin Count6
    Maximum Drain Source Resistance750 mΩChannel ModeEnhancement
    Minimum Gate Threshold Voltage2Maximum Power Dissipation2 W
    Transistor ConfigurationSingleMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
    Width1.65Number of Elements per Chip1
    Maximum Operating Temperature+150 °CLength3.05
    Typical Gate Charge @ Vgs12.2 nC @ 10 V, 8 nC @ 6 VTransistor MaterialSi
    Minimum Operating Temperature-55 °CHeight1







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