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IRF1010NSTRLPBF
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    제품정보
    대표부품번호:

    IRF1010NSTRLPBF

    대표브랜드: SIMENS
    대표부품설명: MOSFET, N-CH, 55V, 85A, TO-263AB

    기술자료
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    1835795058IRF1010NSTRLPBFINFINEONMOSFET, N-Channel, 55V, 85A, TO-263
    		775

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    		 업데이트: 2024-05-31

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    2725879
    		IRF1010NSTRLPBFINFINEONMOSFET, N-CH, 55V, 85A, TO-263AB
    		2380

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    1829831325IRF1010NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET, N-CH, 55V, 85A, TO-263AB
    		600

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    212378224IRF1010NSTRLPBFInfineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 55V, 85A, TO-263AB, Transistor Pol
    배송비5만원 최소주문5만원t    		2180

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    60119064IRF1010NSTRLPBFINTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET, N-CH, 55V, 85A, TO-263AB
    		6300

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    1700714313IRF1010NSTRLPBFINTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET, N-CH, 55V, 85A, TO-263AB
    		6317

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    212378222IRF1010NSTRLPBFInfineon Technologies AGMOSFET MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
    		4382

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    800~1,508 원 (1,659 원)
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    1834962869IRF1010NSTRLPBFINFINEONN-CH 55V 84A 11mOhm TO263
    		800

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    		 업데이트: 2024-04-12



    212378223IRF1010NSTRLPBFInfineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T
    		600

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     업데이트: 2023-01-03



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    1834302899IRF1010NSTRLPBFINFINEONSingle N-Channel 55V 11 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
    		0

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     업데이트: 2023-01-03






    제품스펙
    Channel TypeNMaximum Continuous Drain Current85 A
    Maximum Drain Source Voltage55 VPackage TypeD2PAK (TO-263)
    Mounting TypeSurface MountPin Count3
    Maximum Drain Source Resistance11 mΩChannel ModeEnhancement
    Maximum Gate Threshold Voltage4Minimum Gate Threshold Voltage2
    Maximum Power Dissipation180 WTransistor ConfigurationSingle
    Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 VNumber of Elements per Chip1
    Maximum Operating Temperature+175 °CLength10.67
    Typical Gate Charge @ Vgs120 nC @ 10 VWidth11.3
    Transistor MaterialSiHeight4.83
    SeriesHEXFETMinimum Operating Temperature-55 °C
    Forward Diode Voltage1.3







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