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| 제품스펙 |
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- MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:180A
- Drain Source Voltage Vds:1.2kV
- Threshold Voltage Vgs:2.7V
- Power Dissipation Pd:1.13kW
- Transistor Case Style:Module
- No. of Pins:10
- Operating Temperature Max:150°C
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Operating Temperature Min:-40°C
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- 수동소자, 소캣, LED제품 절대 교환, 취소, AS 불가
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| 부품번호 | 제조사 | 부품설명 | 주문가능수량 | 예상납기 영업일 기준이며 레오콤출하일이 아닌
고객이 수령하시는 날 기준입니다 |
| 재고업데이트
단위 | 수량별 판매단가
（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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| 제품스펙 |
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| Packaging | Bulk | Package / Case | Module | | Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) | Power - Max | 1130W | | FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) | | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 204A (Tc) | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 10V | | Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | | FET Feature | Silicon Carbide (SiC) | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA | | Supplier Device Package | Module | Part Status | Active | |
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