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RF4E080BNTR
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제품정보
대표부품번호:

RF4E080BNTR

대표브랜드: ROHM
대표부품설명: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

기술자료
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1836076874RF4E080BNTRROHMROHM
원산지 : THA
배송비5만원 30만원무료배송 최소주문액 7만5천원
3000

해외 재고
 업데이트: 2024-06-04

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500~231 (254)
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1836076873RF4E080BNTRROHMROHM
배송비5만원 30만원무료배송 최소주문액 7만5천원
6

해외 재고
 업데이트: 2024-06-04

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291~275 (303)
500~231 (254)
1000~222 (244)
2000~207 (228)



1829512907RF4E080BNTRROHMMOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
5500

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 업데이트: 2024-06-11

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294~290 (319)
500~240 (264)
1000~230 (253)
2000~220 (242)



211079113RF4E080BNTRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
1831

해외 재고
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 업데이트: 2024-02-21

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 포장 : 컷테이프
1~1,019 (1,121)
10~885 (974)
100~613 (674)
500~513 (564)
1000~436 (480)



212447462RF4E080BNTRRohm SemiconductorMOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
7455

해외 재고
실재고 체크
 업데이트: 2024-02-21

 최소주문 수량 : 1
 주문배수 수량 : 1
1~985 (1,084)
10~869 (956)
100~601 (661)
500~501 (551)
1000~427 (470)
3000~366 (403)
6000~359 (395)



211079114RF4E080BNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
5500

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 업데이트: 2024-02-21



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단위
수량별 판매단가
(부가세 포함가)
주문수량주문/견적
1834396489RF4E080BNTRRohm Semiconductor30V, 8A, 17.6 MOHM, PQFN 2X2
0

해외 재고
실재고 체크
 업데이트: 2024-02-21






제품스펙
FET TypeN-ChannelCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs17.6mOhm @ 8A, 10VFET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta)Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250μA
Supplier Device PackageHUML2020L8Part StatusActive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10VVgs (Max)±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 VGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds660 pF @ 15 VPackagingCut Tape (CT)
Package / Case8-PowerUDFNMounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C (TJ)TechnologyMOSFET (Metal Oxide)





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