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| 제품스펙 |
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- MOSFET MODULE, N-CH, 500V, 63A, SOT-227
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:63A
- Drain Source Voltage Vds:500V
- On Resistance Rds(on):0.065ohm
- Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
- Threshold Voltage Vgs:6.5V
- Power Dissipation Pd:780W
- Operating Temperature Max:150°C
- Product Range:HiPerFET Series
- SVHC:No SVHC (20-Jun-2016)
- MSL:MSL 1 - Unlimited
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| 부품번호 | 제조사 | 부품설명 | 주문가능수량 | 예상납기 영업일 기준이며 레오콤출하일이 아닌
고객이 수령하시는 날 기준입니다 |
| 재고업데이트
단위 | 수량별 판매단가
（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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| 제품스펙 |
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| Packaging | Tube | Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC | | Mounting Type | Chassis Mount | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | | Technology | MOSFET (Metal Oxide) | FET Type | N-Channel | | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 63A (Tc) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 40A, 10V | | FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 780W (Tc) | | Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA | Supplier Device Package | SOT-227B | | Part Status | Active | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | | Vgs (Max) | ±30V | Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V | | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 25 V | |
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