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- TRANSISTOR, PNP, 60V, 0.6A, TO-18
- Transistor Polarity:PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V
- Power Dissipation Pd:400mW
- DC Collector Current:600mA
- DC Current Gain hFE:75
- Transistor Case Style:TO-18
- No. of Pins:3
- MSL:-
- SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
- Collector Emitter Voltage Vces:400mV
- Continuous Collector Current Ic Max:600mA
- Current Ic @ Vce Sat:150mA
- Current Ic Continuous a Max:600mA
- Current Ic hFE:150mA
- Fall Time @ Ic:100ns
- Full Power Rating Temperature:25°C
- Gain Bandwidth ft Min:200MHz
- Gain Bandwidth ft Typ:200MHz
- Hfe Min:100
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:a
- Power Dissipation Ptot Max:400mW
- Voltage Vcbo:60V
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（부가세 포함가) | 주문수량 | 주문/견적 |
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43294
해외 재고 | | |
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| Transistor Polarity | PNP | Collector Emitter Voltage V(br)ceo | 60V | | Power Dissipation Pd | 400mW | DC Collector Current | 600mA | | DC Current Gain hFE | 75 | Transistor Case Style | TO-18 | | No. of Pins | 3 | MSL | - | | SVHC | No SVHC (16-Dec-2013) | Collector Emitter Voltage Vces | 400mV | | Continuous Collector Current Ic Max | 600mA | Current Ic @ Vce Sat | 150mA | | Current Ic Continuous a Max | 600mA | Current Ic hFE | 150mA | | Fall Time @ Ic | 100ns | Full Power Rating Temperature | 25°C | | Gain Bandwidth ft Min | 200MHz | Gain Bandwidth ft Typ | 200MHz | | Hfe Min | 100 | No. of Transistors | 1 | | Pin Configuration | a | Power Dissipation Ptot Max | 400mW | | Voltage Vcbo | 60V |
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